По словам ученых, новая технология способна многократно увеличить вместимость накопителей, которые к тому же будут устойчивы к воздействию радиации и повышению температуры до двухсот градусов Цельсия.

В состав исследовательского трио, возглавляемого профессором Джеймсом Туром, вошли китайский ученый Юйбао Ли и россиянин Александр Синицкий. По словам руководителя группы, лабораторные испытания начались еще в позапрошлом году, однако их результаты были обнародованы лишь недавно. В ходе экспериментов ученым удалось воссоздать пленку из графена (относительного нового углеродного материала, состоящего из нескольких слоев графита) на кремниевой пластине и записать на нее информацию. Толщина полученного материала составляла приблизительно пять нанометров. Профессор Тур пояснил, что по сути графен напоминает след карандаша на бумаге. Однако ученые получали его из графита в парообразном состоянии.

Исследователи считают, что новый тип твердотельной памяти впоследствии может заменить флеш-накопители. Современные флеш-устройства создаются по 45-нанометровой технологии. Эксперты полагают, что к 2012 году флеш-память достигнет своего минимального предела на 20 нанометрах. Применение графена, по словам Джеймса Тура, позволит преодолеть 10-нанометровый порог.

В отличие от современных кремниевых транзисторов, графеновые ячейки могут иметь два контакта вместо трех. Кроме того, графен почти не нагревается, и это делает его идеальным материалом для создания трехмерных чипов путем послойного наращивания матриц. Таким образом, объем хранимых данных может быть существенно увеличен. Подобно флеш-накопителям, графеновые устройства будут потре<!--filter:блять-->"женщина тяжолого поведения"<!--/filter--> минимум электроэнергии.

Следующим шагом, который намерен сделать профессор Тур и его команда, станет сохранение более бита данных на одном графеновом слое. В лаборатории удалось испытать быстродействие устройства лишь в 100-наносекундном диапазоне, однако ученые надеются доказать, что реальная скорость обработки данных на порядок выше.